Бүтээгдэхүүн

GaSe болор

Галийн селенид (GaSe) шугаман бус оптик дан болор нь шугаман бус том коэффициент, гэмтлийн өндөр босго, ил тод байдлын өргөн хүрээг хослуулсан.Энэ нь IR-ийн дунд үеийн SHG-д маш тохиромжтой материал юм.
ZGP(ZnGeP2) талстууд

ZGP талстууд нь том шугаман бус коэффициент (d36=75pm/V), хэт улаан туяаны тунгалаг байдлын өргөн хүрээ (0.75-12μm), өндөр дулаан дамжуулалт (0.35W/(см·K)), лазерын гэмтлийн босго өндөр (2-5J/cm2) ба Худаг боловсруулах шинж чанараараа ZnGeP2 болорыг хэт улаан туяаны шугаман бус оптик талстуудын хаан гэж нэрлэдэг байсан бөгөөд өндөр хүчин чадалтай, тохируулж болох хэт улаан туяаны лазер үүсгэх хамгийн сайн давтамж хувиргах материал хэвээр байна.Бид өндөр оптик чанар, α < 0.05 см-1 (шахуургын долгионы уртад 2.0-2.1 μм) маш бага шингээлтийн коэффициент бүхий том диаметртэй ZGP талстуудыг санал болгож, OPO эсвэл OPA ашиглан өндөр үр ашигтай дунд хэт улаан туяаны тохируулгатай лазер үүсгэх боломжтой. үйл явц.
AGSe(AgGaSe2) талстууд

AGSeAgGaSe2 талстууд нь 0.73 ба 18 мкм-ийн зурвасын ирмэгтэй.Түүний ашигтай дамжуулалтын хүрээ (0.9-16 мкм) ба фазын өргөн тааруулах чадвар нь янз бүрийн лазераар шахах үед OPO хэрэглээнд маш сайн боломж олгодог.Ho:YLF лазераар 2.05 μм-ээр шахах үед 2.5–12 μм-ийн тааруулалт авсан;түүнчлэн 1.4-1.55 мкм-ээр шахах үед 1.9–5.5 μм дотор чухал бус үе шат тохируулах (NCPM) ажиллагаа.AgGaSe2 (AgGaSe2) нь хэт улаан туяаны CO2 лазерын цацрагийн давтамжийг хоёр дахин нэмэгдүүлэх үр ашигтай талст болох нь батлагдсан.
AGS (AgGaS2) талстууд

AGS нь 0.50-аас 13.2 мкм хүртэл тунгалаг байдаг.Хэдийгээр түүний шугаман бус оптик коэффициент нь дурдагдсан хэт улаан туяаны талстуудын дунд хамгийн бага боловч 550 нм өндөр богино долгионы тунгалаг ирмэгийг Nd:YAG лазераар шахдаг OPO-д ашигладаг;диод, Ti: Sapphire, Nd: YAG болон IR будагч лазеруудтай 3-12 микрон хүрээг хамарсан олон тооны ялгаа давтамжтай холих туршилтуудад;шууд хэт улаан туяаны эсрэг арга хэмжээ авах системд, мөн CO2 лазерын SHG-д.Нимгэн AgGaS2 (AGS) болор хавтан нь NIR долгионы урттай импульс ашиглан давтамжийн зөрүү үүсгэх замаар дунд IR мужид хэт богино импульс үүсгэхэд түгээмэл байдаг.
BGSe(BaGa4Se7) талстууд

BGSe (BaGa4Se7)-ийн өндөр чанартай талстууд нь 1983 онд ацентрик орторомб бүтэцтэй, IR NLO нөлөөг 2009 онд мэдээлсэн халькогенидын нэгдэл BaGa4S7-ийн селенидийн аналог бөгөөд шинээр боловсруулсан IR NLO талст юм.Үүнийг Бридгман-Стокбаргерын техникээр олж авсан.Энэ болор нь 15 μм орчимд шингээлтийн оргилыг эс тооцвол 0.47–18 μм өргөн хүрээнд өндөр дамжуулалтыг харуулдаг.
BGGSe(BaGa2GeSe6) талстууд

BaGa2GeSe6 болор нь оптик гэмтлийн өндөр босго (110 МВт/см2), спектрийн тунгалаг байдлын өргөн хүрээ (0.5-аас 18 μм) ба шугаман бус чанар өндөртэй (d11 = 66 ± 15 pm/V) тул энэ болорыг маш сонирхолтой болгодог. лазерын цацрагийн давтамжийг IR-ийн дунд муж руу (эсвэл дотор нь) хувиргах.